Modelo do Produto

CM600HA-12E

Introdução

Módulo de Transistor Bipolar de Porta Isolada (IGBT)

Marca e Fabricante

Mitsubishi Electric Semiconductor

Características

Alta eficiência e velocidade, baixo consumo de energia, tensão de saturação mínima, alta capacidade de corrente

Desempenho do Produto

Capaz de chavear até 600A, tensão máxima de 1200V

Especificações Técnicas

Tensão coletor-emissor: 1200V, corrente coletor: 600A, tensão porta-emissor: ±20V, temperatura de junção: -40 a +150°C

Dimensões, Forma e Embalagem

Pacote do módulo, dimensões especificadas na ficha técnica, embalagem industrial padrão

Qualidade e Confiabilidade

Alta confiabilidade em ambientes adversos, construção robusta para durabilidade a longo prazo

Vantagens do Produto

Operação energeticamente eficiente, redução da pegada térmica, alta capacidade de manuseio de corrente

Competitividade do Produto

Competitivo em aplicações de alta potência, escolha preferida para indústrias intensivas em energia

Compatibilidade

Compatível com drivers IGBT padrão, facilmente integrado em sistemas existentes

Certificação e Conformidade com Normas

Atende aos padrões industriais de segurança e eficiência, conformidade com regulamentações globais de semicondutores

Duração e Sustentabilidade

Projetado para longa vida operacional, contribui para operações sustentáveis ao reduzir o consumo de energia

Áreas de Aplicação

Geração e distribuição de energia, sistemas de controle de motores, inversores de potência, estações de carregamento de veículos elétricos

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